买卖IC网 >> 产品目录 >> SiA439EDJ-T1-GE3 MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SiA439EDJ-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay Semiconductors
描述：MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET -20V .0165Ohm@4.5V 28A P-Ch G-III
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制造商 Vishay Semiconductors
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 - 20 V
闸/源击穿电压 8 V
漏极连续电流 - 28 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.042 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SC-70-6L
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SiA439EDJ-T1-GE3
SIA440DJ-T1-GE3
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  • SiA439EDJ-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价